Просмотры: 1744
27.06.2014
М.: Техносфера, 2014. – 544c.+104 с. цв. вкл. ISBN 978-5-94836-385-1
Переводное издание
формат 70х100/16
переплет
Переводное издание
формат 70х100/16
переплет
Книга «Метод дифракции отраженных электронов в материаловедении» Адама Шварца, Мукул Кумара, Брэнта Л. Адамса и Дэвида П. Филда, в 2009 году претерпевшая уже второе издание на английском языке в издательстве «Шпрингер», среди российских научных изданий является одной из первых исчерпывающих коллективных монографий в этой области, переведенных на русский язык.
Метод дифракции отраженных электронов (ДОЭ или EBSD) был разработан относительно давно на основе метода картин каналирования электронов в растровых электронных микроскопах (РЭМ), но широкое практическое применение данного метода в научных и прикладных исследованиях началось лишь в середине 90-х годов прошлого века. Развитие данного метода было неразрывно связано с успехами в компьютерной технике и высокочувствительных цифровых камер, поскольку максимальный эффект от его применения мог быть получен только при высоком быстродействии систем регистрации дифракционных картин и быстрой компьютерной обработке полученной цифровой информации.
Метод дифракции отраженных электронов (ДОЭ), используемый в растровом электронном микроскопе (РЭМ) в качестве дополнительного аналитического метода, позволяет на поверхности массивных поликристаллов без труда определять ориентации отдельных зерен, локальную текстуру, корреляцию ориентаций между точками и идентифицировать фазы и двумерные распределения фаз по поверхности образца.
За последние 10 лет этот метод был быстро внедрен в металлургических, материаловедческих и геофизических лабораториях благодаря широкой доступности РЭМ, простоте приготовления образцов из массивных заготовок, высокой скорости сбора данных и возможности получения дополнительной информации о микроструктуре в субмикронных масштабах. С одного и того же участка образца можно получить очень детальную информацию о поверхностной структуре и морфологии данной текстуры путем анализа рельефа и ориентационного контраста на изображениях во вторичных и отраженных электронах, информацию о распределении химических элементов – методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии (ЭДС), волнодисперсионной спектроскопии (WDS) либо катодолюминесцентного анализа, а теперь, в качестве дополнительного вида анализа, можно определять ориентации отдельных зерен и фаз методом дифракции отраженных электронов (ДОЭ).
Метод дифракции отраженных электронов стал стандартной методикой для ориентационной микроскопии и анализа текстуры на объемных поликристаллах на уровне отдельных зерен. Причинами этого являются удобство работы с использованием метода ДОЭ на серийных установках, широкая доступность растровых электронных микроскопов и высокоскоростное получение данных.
Из базы данных, содержащей ориентации отдельных зерен в выбранных областях произвольной формы на образце, могут рассчитываться прямые и обратные полюсные фигуры, функция распределения ориентации по всем углам (ODF), а также функции корреляции распределения разориентации и ориентации (ODE, MODF, OCF). Такие морфологические параметры, как распределение зерен по размерам и форме, а также величины, относящиеся к кристаллической решетке, такие как совершенство кристалла и доля рекристаллизованных зерен, межзеренные границы, величина разориентации и тип кристаллической решетки, могут быть получены из набора ориентаций отдельных зерен.
Издание рассчитано на начинающих и практикующих специалистов в области электронной микроскопии и микроанализа.
Метод дифракции отраженных электронов (ДОЭ или EBSD) был разработан относительно давно на основе метода картин каналирования электронов в растровых электронных микроскопах (РЭМ), но широкое практическое применение данного метода в научных и прикладных исследованиях началось лишь в середине 90-х годов прошлого века. Развитие данного метода было неразрывно связано с успехами в компьютерной технике и высокочувствительных цифровых камер, поскольку максимальный эффект от его применения мог быть получен только при высоком быстродействии систем регистрации дифракционных картин и быстрой компьютерной обработке полученной цифровой информации.
Метод дифракции отраженных электронов (ДОЭ), используемый в растровом электронном микроскопе (РЭМ) в качестве дополнительного аналитического метода, позволяет на поверхности массивных поликристаллов без труда определять ориентации отдельных зерен, локальную текстуру, корреляцию ориентаций между точками и идентифицировать фазы и двумерные распределения фаз по поверхности образца.
За последние 10 лет этот метод был быстро внедрен в металлургических, материаловедческих и геофизических лабораториях благодаря широкой доступности РЭМ, простоте приготовления образцов из массивных заготовок, высокой скорости сбора данных и возможности получения дополнительной информации о микроструктуре в субмикронных масштабах. С одного и того же участка образца можно получить очень детальную информацию о поверхностной структуре и морфологии данной текстуры путем анализа рельефа и ориентационного контраста на изображениях во вторичных и отраженных электронах, информацию о распределении химических элементов – методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии (ЭДС), волнодисперсионной спектроскопии (WDS) либо катодолюминесцентного анализа, а теперь, в качестве дополнительного вида анализа, можно определять ориентации отдельных зерен и фаз методом дифракции отраженных электронов (ДОЭ).
Метод дифракции отраженных электронов стал стандартной методикой для ориентационной микроскопии и анализа текстуры на объемных поликристаллах на уровне отдельных зерен. Причинами этого являются удобство работы с использованием метода ДОЭ на серийных установках, широкая доступность растровых электронных микроскопов и высокоскоростное получение данных.
Из базы данных, содержащей ориентации отдельных зерен в выбранных областях произвольной формы на образце, могут рассчитываться прямые и обратные полюсные фигуры, функция распределения ориентации по всем углам (ODF), а также функции корреляции распределения разориентации и ориентации (ODE, MODF, OCF). Такие морфологические параметры, как распределение зерен по размерам и форме, а также величины, относящиеся к кристаллической решетке, такие как совершенство кристалла и доля рекристаллизованных зерен, межзеренные границы, величина разориентации и тип кристаллической решетки, могут быть получены из набора ориентаций отдельных зерен.
Издание рассчитано на начинающих и практикующих специалистов в области электронной микроскопии и микроанализа.
Комментарии читателей