eng
Просмотры: 937
26.10.2018
МИР МАТЕРИАЛОВ И ТЕХНОЛОГИЙ
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А.
Рецензенты:
Васильев М.Г. – заведующий лабораторией ИОНХ РАН, профессор, д.т.н.
Вигдорович Е.Н. – профессор ФТИ МИРЭА, д.т.н.
ISBN: 978-5-94836-521-3
Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2018. – 488 с.
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А.
Рецензенты:
Васильев М.Г. – заведующий лабораторией ИОНХ РАН, профессор, д.т.н.
Вигдорович Е.Н. – профессор ФТИ МИРЭА, д.т.н.
ISBN: 978-5-94836-521-3
Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2018. – 488 с.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Теоретические и практические аспекты метода и используемое для его реализации оборудование описаны в ряде зарубежных монографий и обзоров. К сожалению, до настоящего времени отсутствуют аналогичные отечественные издания (за исключением отдельных кратких обзоров). Восполняя этот пробел, авторы настоящей книги постарались отразить в ней фундаментальные основы метода и современный уровень технологии МОСГЭ (разделы 1-6). В разделе 7 приведено описание современного оборудования для проведения процессов МОС-гидридной эпитаксии. Вопросы, связанные с моделированием процессов МОСГЭ, играющим чрезвычайно важную роль при проектировании конструкции рабочих камер технологических установок и выборе условий получения необходимых структур, обсуждаются в разделе 8.
Огромное число публикаций, связанных с использованием данного метода для получения ЭС, не позволяет в рамках одной книги отразить все много- образие особенностей получения конкретных материалов. Мы ограничили круг рассматриваемых материалов, получаемых методом МОСГЭ, в основном полупроводниками AIIIBV и AIIBVI (разделы 9 и 10) как наиболее широко используемыми для изготовления разнообразных устройств современной фотоники и электроники. По возможностям создания наноразмерных структур (гетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми нитями, квантовыми точками) метод МОСГЭ практически сравнялся с не имевшим ранее конкурентов методом молекулярно-лучевой (молекулярно-пучковой) эпитаксии, существенно превосходя его по производительности. Различные аспекты формирования таких структур затронуты в разделах 8—10.
В последнем разделе приведена информация по применению метода МОСГЭ для получения ряда новых материалов электронной техники. Более подробную информацию по отдельным вопросам получения конкретных материалов можно найти в оригинальных работах, список которых приводится в конце каждого раздела, а также по новым публикациям, постоянно появляющимся в периодической литературе.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Комментарии читателей
