eng
Просмотры: 822
14.08.2017
Новый метод позволит получать материал с контролируемой запрещенной зоной
Российские ученые разработали способ создания двумерных полупроводников с заданными свойствами.
Ученые из Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС») провели успешный эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора и создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами.
«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода», — приводит издание слова главного научного сотрудника Института биохимической физики РАН Леонида Чернозатонского.
По его словам, предложенный метод позволит быстро и просто получать материал с контролируемой запрещенной зоной — параметром, от которого зависит, относится материал к проводникам, полупроводникам или диэлектрикам.
Сообщается, что ученые сначала выстроили теоретическую модель нового материала, а затем в ходе эксперимента создали опытный образец, полностью соответствующий этой модели.
Ученые утверждают, что новый метод позволит конструировать миниатюрные изделия электроники. Его можно будет применять в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии.
Ученые из Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС») провели успешный эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора и создали самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами.
«Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода», — приводит издание слова главного научного сотрудника Института биохимической физики РАН Леонида Чернозатонского.
По его словам, предложенный метод позволит быстро и просто получать материал с контролируемой запрещенной зоной — параметром, от которого зависит, относится материал к проводникам, полупроводникам или диэлектрикам.
Сообщается, что ученые сначала выстроили теоретическую модель нового материала, а затем в ходе эксперимента создали опытный образец, полностью соответствующий этой модели.
Ученые утверждают, что новый метод позволит конструировать миниатюрные изделия электроники. Его можно будет применять в таких областях науки и техники, как фотовольтаика, оптоэлектроника, хранение энергии.
Комментарии читателей
