eng
Просмотры: 985
06.04.2017
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал производство мощных излучающих диодов на основе твердых растворов арсенида галлия – арсенида алюминия (GaAs/AlAs).
Полупроводниковые приборы используются в качестве источника инфракрасного излучения в системах оптической связи с открытым каналом, дальнометрии, охраны периметра, подсветки видеосъемки, а также для задач имитации целей и организации или подавления систем ночного видения.
Диоды 3Л148А1 разработаны томским АО «НИИ полупроводниковых приборов» (НИИПП) и выпускаются с применением меза-планарной технологии в металлополимерном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод. Длина волны излучения - 870±15 нм. При проектировании применена оригинальная геометрия излучающего кристалла, согласованная со специально рассчитанной формой линзы, что обеспечивает уникальные характеристики прибора.
В перспективе предприятие планирует расширить линейку выпускаемых диодов изделиями с длиной волны излучения 905±15 нм.
Кроме того, НИИПП наладил выпуск специальных полупроводниковых источников света. В частности, освоено производство единичных индикаторов в корпусе размером 3,5 х 2,8 мм, приспособленном для автоматизированного поверхностного монтажа, а также приборы для замены ламп накаливания типа СМ, МН и др. в оборудовании наземной, авиационной и морской техники.
Полупроводниковые приборы будут представлены на Международной выставке «ЭкспоЭлектроника», которая состоится в МВЦ «Крокус Экспо» (65-66 км МКАД) 25-27 апреля. Объединенный стенд холдинга «Росэлектроника» - павильон 1, зал 3, А405.
Диоды 3Л148А1 разработаны томским АО «НИИ полупроводниковых приборов» (НИИПП) и выпускаются с применением меза-планарной технологии в металлополимерном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод. Длина волны излучения - 870±15 нм. При проектировании применена оригинальная геометрия излучающего кристалла, согласованная со специально рассчитанной формой линзы, что обеспечивает уникальные характеристики прибора.
В перспективе предприятие планирует расширить линейку выпускаемых диодов изделиями с длиной волны излучения 905±15 нм.
Кроме того, НИИПП наладил выпуск специальных полупроводниковых источников света. В частности, освоено производство единичных индикаторов в корпусе размером 3,5 х 2,8 мм, приспособленном для автоматизированного поверхностного монтажа, а также приборы для замены ламп накаливания типа СМ, МН и др. в оборудовании наземной, авиационной и морской техники.
Полупроводниковые приборы будут представлены на Международной выставке «ЭкспоЭлектроника», которая состоится в МВЦ «Крокус Экспо» (65-66 км МКАД) 25-27 апреля. Объединенный стенд холдинга «Росэлектроника» - павильон 1, зал 3, А405.
Комментарии читателей
