Просмотры: 1667
10.11.2014
Комаров А.С., Крапухин Д.В., Шульгин Е.И.
"Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития)"
под ред. П. Мальцева
М: Техносфера, 2014. – 240 с.
ISBN 978-5-94836-397-4
"Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития)"
под ред. П. Мальцева
М: Техносфера, 2014. – 240 с.
ISBN 978-5-94836-397-4
В настоящем издании рассмотрены и решены следующие задачи:
разработка научно – методических принципов управления техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем;
разработка методологии создания проектно – технологического базиса субмикронных СБИС (сверхбольших интегральных микросхем) с повышенными требованиями к воздействию специальных факторов;
подготовка методических положений и практических рекомендаций по формированию рациональной системы управления научно – технической деятельностью отечественных дизайн – центров проектирования систем и кристаллов СБИС, изготовителей типа «фаундри», базовых испытательных центров и аппаратурных фирм – создателей новых видов комплексов и систем различного назначения.
Цель этих мер — создание теоретической и организационно – методической основы для достижения российскими корпоративными структурами в области электроники нового качественного состояния, отвечающего потребностям современной экономики.
Приведены исследования по базовым научно – техническим направлениям, в том числе разработаны:
К важнейшим результатам работы относятся:
В целом, научно – прикладным результатом работы является научно – теоретическое и практическое содержание процесса и функций различных этапов и методов проектирования и изготовления СБИС, являющихся ключевыми для организации отечественной инфраструктуры развития микроэлектроники.
Направленность исследований и разработок актуализирована для инновационного сектора функционально – сложной микроэлектроники России в его объективно обусловленной связи с радиоэлектроникой и информационной технологией в целом.
разработка научно – методических принципов управления техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем;
разработка методологии создания проектно – технологического базиса субмикронных СБИС (сверхбольших интегральных микросхем) с повышенными требованиями к воздействию специальных факторов;
подготовка методических положений и практических рекомендаций по формированию рациональной системы управления научно – технической деятельностью отечественных дизайн – центров проектирования систем и кристаллов СБИС, изготовителей типа «фаундри», базовых испытательных центров и аппаратурных фирм – создателей новых видов комплексов и систем различного назначения.
Цель этих мер — создание теоретической и организационно – методической основы для достижения российскими корпоративными структурами в области электроники нового качественного состояния, отвечающего потребностям современной экономики.
Приведены исследования по базовым научно – техническим направлениям, в том числе разработаны:
- алгоритмы и научно – методическое обеспечение управления техническим уровнем СнК (систем на кристалле) новых поколений, развития системного проектирования;
- проблемы управления, задачи физико – технической, технико – экономической, нормализационной регламентации и оптимизации применения ЭКБ (электронных компонентных баз), в том числе, зарубежных;
- алгоритмы, физико – техническое, нормализационное обеспечение технического уровня электронных средств в условиях специальных воздействий.
К важнейшим результатам работы относятся:
- методология построения и развития концепции сквозного системного проектирования СБИС;
- теория и практика организации процесса проектирования и изготовления СБИС;
- методология становления и развития проектно – технологических платформ СБИС.
В целом, научно – прикладным результатом работы является научно – теоретическое и практическое содержание процесса и функций различных этапов и методов проектирования и изготовления СБИС, являющихся ключевыми для организации отечественной инфраструктуры развития микроэлектроники.
Направленность исследований и разработок актуализирована для инновационного сектора функционально – сложной микроэлектроники России в его объективно обусловленной связи с радиоэлектроникой и информационной технологией в целом.
Комментарии читателей