eng
Содержание
Предисловие
Введение
Глава 1
Физические принципы наноэлектроники
1.1.
Параметры квантовых точек
1.1.1.
Минимальный и максимальный размеры
1.1.2.
Структурное совершенство, плотность и однородность
1.2.
Особенности электронного спектра в структурах с квантовыми точками
1.2.1.
Зонная структура в кристаллах с квантовыми точками
1.2.2.
Энергетический спектр дырок в Ge/Si-квантовых точках
1.2.3.
Энергетическая структура экситонов и экситонных комплексов
1.2.4.
Компьютерное моделирование энергетического спектра в квантовых точках [42]
Список литературы к главе 1
Глава 2
Кремниевая одноэлектроника
2.1.
Базовая теория кулоновской блокады
2.1.1.
Кулоновская лестница
2.1.2.
Сотуннелирование
2.1.3.
Квантово-размерные эффекты
2.1.4.
Влияние внешних переменных полей на квантовые кулоновские точки
2.1.5.
Эффекты, связанные с кулоновской блокадой
2.2.
Реализация одноэлектронных приборов
2.2.1.
Кремниевые одноэлектронные приборы
2.3.
Квантовые точки Ge в МДП- и фототранзисторных структурах [28]
Список литературы к главе 2
Глава 3
Оптические и фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур Si—Ge
3.1.
Фотолюминесценция на структурах Si—Ge, полученных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии
3.1.1.
Si—Ge-структуры с субмонослойными включениями
3.1.2.
Si—Ge-структуры с квантовыми точками
3.2.
Радиационная стойкость кристаллов с квантовыми точками
Список литературы к главе 3
Глава 4
Методы получения самоорганизованных Si—Ge-наноструктур
4.1.
Фундаментальные предпосылки
4.2.
Рост и особенности упорядочения ансамблей нанокластеров Ge
4.2.1.
Морфологические перестройки
4.2.2.
Эффекты упорядочения
4.2.3.
Размеры и плотность островков: возможности управления
4.3.
Особенности создания гетероструктур Si—Ge с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии
4.4.
Искусственные подложки
4.4.1.
Буферные слои с изменяющимся параметром решетки
4.4.2.
Мезаподложки
4.4.3.
Дислокационные фильтры
4.4.4.
Факторы, влияющие на процесс упорядочения
4.4.5.
Si—Ge-наноструктуры с квантовыми точками
4.4.6.
Эффекты упорядочения при формировании наноструктур на основе SiGe/Si
4.5.
Свойства самоорганизованных Si—Ge-наноструктур, полученных методом ионной имплантации [128–130]
4.6.
Получение наноразмерных Si—Ge-структур методом термического испарения
Список литературы к главе 4
Глава 5
Синтез проводящих и полупроводниковых соединений в кремнии
5.1.
Наноструктурированные слои дисилицида кобальта на поверхности кремния, образующиеся при внедрении ионов Co+ в подложку кремния [1]
5.1.1.
Силициды, их свойства и применение [2]
5.1.2.
Ионный синтез
5.1.3.
Самоорганизация приповерхностного слоя дисилицида кобальта [8, 10, 11]
5.1.4.
Фрактальный анализ поверхности дисилицида кобальта, полученного ионным синтезом
5.2.
Ионный синтез соединений АIIIВV в Si-матрице [1]
5.3.
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур с нанокластерами InAs в матрице Si [46]
Список литературы к главе 5
Глава 6
Формирование наноразмерных структур при ионном распылении поверхности полупроводников
6.1.
Экспериментальные данные
6.2.
Теоретическая модель
Список литературы к главе 6
Глава 7
Нанокристаллы кремния, получаемые разными способами
7.1.
Получение нанокристаллических пленок кремния методом CVD
7.2.
Нанокристаллы кремния, полученные с помощью электрохимического процесса
7.3.
Образование собственных нанокристаллов в монокристаллическом кремнии [22]
7.4.
Нанокристаллы кремния в матрице аморфного кремния
7.5.
Получение нанокристаллов кремния через образование пористого кремния
7.6.
Формирование нанопроволок кремния [71]
Список литературы к главе 7
Глава 8
Квантовые точки из монокристаллического Si, сформированные ионной имплантацией в пленках SiO2
8.1.
Нанокристаллы Si и Ge в SiO2, полученные без применения ионной имплантации
8.2.
Нанокристаллы Si и Ge в SiO2, полученные методом ионной имплантации
8.3.
Влияние легирующих примесей на люминесценцию, связанную с нанокристаллами Si в матрице SiO2
8.4.
Оптические и люминесцентные свойства SiO2
8.5.
Образование нанокристаллов кремния между пленками диоксида кремния
Список литературы к главе 8
Глава 9
Перспективы кремниевой наноэлектроники
9.1.
Использование синхротронного излучения для анализа наноразмерных структур
9.2.
Методы локальной модификации поверхности при помощи сканирующей зондовой микроскопии
9.3.
Основные направления исследования самоорганизованных структур
9.3.1.
Сравнение особенностей самоорганизации в полупроводниках и металлических сплавах
9.3.2.
Автомодуляция по составу при эпитаксии соединений AIIIBV [85]
9.3.3.
Самоорганизация и нестабильность дефектной системы в полупроводниках, находящихся под облучением [81, 82]
9.3.4.
Формирование сверхрешеток в распределении плотности дефектов при облучении бинарных соединений
9.3.5.
Самоорганизация, обусловленная накоплением антиструктурных радиационных дефектов
Список литературы к главе 9
Заключение
Список принятых сокращений