ния, рассеянные по свету, привести их в систему,
понятную для людей ныне живущих, и передать
тем, кто придет после нас, с тем, чтобы труд пред-
шествующих веков не стал бесполезным для веков
последующих, и чтобы наши потомки, обогащенные
знаниями, стали добрее и счастливее, и чтобы мы не
канули в вечность, не сумев послужить грядущим
поколениям…»
Дени Дедро
Предисловие
Современная радиоэлектроника представляет собой обширную отрасль науки и
техники, которая стремительно развивается, проникая в новые сферы и охватывая
все новые области знаний, определяя в современном мире прогресс науки и техники
в целом и охватывая все более широкие сферы обеспечения жизнедеятельности
человечества.
Ее развитие уже сейчас привело к созданию весьма сложных технических систем,
а учитывая все возрастающие требования к этим системам и тенденции развития
теоретической и элементной базы радиоэлектроники, в самом ближайшем будущем
следует ожидать их дальнейшего усложнения.
Основные области применения современной радиоэлектроники – радионавига-
ция, радиосвязь, радиолокация, радиоастрономия, телекоммуникации, радиометрия,
космические и информационные технологии, медицина, метеорология и геология,
системы управления вооружением, военной техникой, включая средства радио-
электронной борьбы и управления высокоточным оружием и средства защиты от него.
Современные радиоэлектронные устройства и системы используют чрезвычай-
но широкий диапазон частот электромагнитных волн, где нижние частоты лежат
около нуля герц, а высшие вплотную подошли к световым волнам.
Наиболее широко в современных радиоэлектронных системах (РЭС) исполь-
зуются так называемые сверхвысокие частоты (СВЧ), включая диапазоны милли-
метровых и субмиллиметровых волн.
Например, к числу основных РЭС только миллиметрового диапазона можно
отнести следующие:
• радиолокационные станции (РЛС) с высокой разрешающей способностью,
в том числе РЛС опознавания и локации космических объектов с Земли и со
спутников, РЛС обнаружения и сопровождения низколетящих целей для зенит-
но-ракетных комплексов (ЗРК) и кораблей, бортовые самолетные РЛС и др.;
• различные системы связи, в том числе связь «Земля-космос», межспутнико-
вая связь (например, на частотах в области 60 ГГц вследствие наличия пика
в атмосфере до 20 дБ/км в космосе может быть обеспечена дальняя связь
между коммерческими и военными спутниками, скрытая от наземных на-
блюдений), системы сверхдальней связи, скрытая оперативно-тактическая
связь для наземного театра боевых действий, опять-таки на частотах полос
непрозрачности и др.;
• интеллектуальные средства наведения, в том числе системы активного и
пассивного наведения стратегических, тактических, оперативно-тактических
ракет, головки самонаведения реактивных снарядов и т.п.;
• радионавигационные системы различного назначения, в том числе само-
летные, вертолетные, спутниковые, морские и др., которые охватывают
навигацию и опознавание;
• системы радиопротиводействия, широко используемые в современной
электронной разведке, связной, сигнальной радиоразведке и т.п.;
• широкий спектр медицинской аппаратуры, включая аппараты магнитно-
резонансной терапии (МРТ);
• специальная научная СВЧ-аппаратура для мощных ускорителей элементар-
ных частиц;
• ряд других систем, среди которых особое место занимают системы управле-
ния и контроля космической, мобильной наземной, морской и подводной
военной техникой.
Технической основой любой подобной РЭС являются различные средства ге-
нерирования, преобразования и усиления электрических ВЧ- и СВЧ-колебаний,
причем к этим средствам предъявляются весьма высокие требования по стабиль-
ности генерируемой частоты.
Поэтому современная радиоэлектроника охватывает исключительно широкий
спектр областей знаний – от теории электромагнитных колебаний и распростра-
нения волн до закономерностей движения электронов и ионов в различных мате-
риалах и средах.
Очевидно, что в связи с непрерывным усложнением решаемых РЭС задач
постоянно увеличивается и объем радиоэлектронной аппаратуры, однако про-
стое увеличение количества элементов всегда неизбежно приводило к снижению
надежности работы, увеличению габаритов, веса, потребляемой мощности и сто-
имости, усложнению эксплуатации. Прогресс в области современной полупрово-
дниковой и вакуумной электроники позволяет создавать все более сложные РЭС
при существенном снижении их габаритно-весовых характеристик, потребляе-
мой мощности и стоимости, при этом позволяя обеспечить повышение произво-
дительности. Поэтому прежде всего именно стремительное развитие радиоэлек-
троники ставит перед разработчиками и изготовителями задачу миниатюризации
аппаратуры путем получения целого ряда новых материалов с совершенно
новыми свойствами, и прежде всего приборов электроники (микро-, нано-
электроники, СВЧ полупроводниковой и вакуумной электроники, оптоэлектро-
ники).
Чтобы кратко охарактеризовать всю широту спектра научно-технических на-
правлений современной радиоэлектроники, можно привести только такой факт.
Англо-русский словарь по «современной» радиоэлектронике (2013 г.) содержит
более двадцати тысяч терминов и включает в себя термины по квантовой радио-
электронике, радиолокации, теории распространения радиоволн, антенно-фидер-
ным устройствам (АФУ), технике СВЧ, теории надежности, физике и технологии
изготовления вакуумных и полупроводниковых приборов, интегральных схем,
вычислительной технике и др.
Эта предлагаемая читателям книга ориентирована на очень широкий круг
читателей-ученых, инженеров, инженерно-технических работников, студентов и
преподавателей колледжей и высших учебных заведений, разработчиков радио-
электронной аппаратуры коммерческого и военного назначения, специалистов по
измерению параметров, регламентному обслуживанию современных и перспектив-
ных РЭС, ремонту и эксплуатации.
Столь широкий круг потенциальных читателей книги обусловлен действительно
уникальным объектом исследований – СВЧ-электроникой и ее различными при-
менениями в современных радиоэлектронных системах – радиолокации, связи,
космической и военной техники.
При написании этой книги авторы использовали концепцию изложения мате-
риала, позаимствованную ими из блестящей фундаментальной работы по силовой
электронике – «Semiconductor Technical Information technologies and characteristics
date», впервые опубликованной Pallisic Corporate Pablishing в Германии в 2000 г. и
многократно переиздаваемой. Это издание было подготовлено штаб-квартирой
одного из мировых лидеров в области полупроводниковой технологии – фирмы
Infinion Technologies AG и сегодня, после внесения многочисленных дополнений
и уточнений, представляет собой фактически универсальное справочное пособие
для ученых и инженеров, специализирующихся в области проектирования и при-
менения широкого спектра современных полупроводниковых изделий и устройств
на их основе.
Несомненным достоинством этой книги является то, что авторам в пределах
одной монографии талантливо удалось изложить все современные тенденции
развития и достижения в области полупроводниковых технологий изготовления
прежде всего силовых приборов.
Как и авторы цитируемой работы, при написании этой технической энцикло-
педии авторы исходили из двух основных постулатов. Во-первых, будущим инже-
нерам-электронщикам, преподавателям и студентам всегда нужно иметь под рукой
сборник справочных материалов по современной СВЧ-электронике и различных
РЭС на ее основе. Во-вторых, чтобы стать популярным среди широкого круга
ученых и специалистов, это издание должно выполнять функции и классического
учебника, и надежного краткого справочника, да и просто увлекательной книги.
В многочисленной зарубежной и даже в не столь многочисленной отечественной
литературе существует множество публикаций (статьи, монографии, описания па-
тентов, справочники и руководства по применению), рассматривающих некоторые
частные аспекты СВЧ-электроники в ее приложениях к задачам радиолокации и
связи, – теоретические исследования, методы расчета и проектирования конкрет-
ных СВЧ-устройств и систем и др.
Авторы представляемой читателю новой книги поставили перед собой доста-
точно амбициозную задачу – впервые в отечественной научно-технической лите-
ратуре попытаться обобщить многочисленную информацию по этой проблеме (как
зарубежную, так и отечественную) и в рамках ограниченного объема одной книги
как рассмотреть основные физические механизмы и принципы работы наиболее
известных СВЧ-приборов и устройств, так и дать конкретные детализированные
примеры и рекомендации по применению полупроводниковых и вакуумных СВЧ-
приборов и устройств в самых различных технических системах, решающих прежде
всего различные задачи радиолокации и связи, и не только.
Еще один из основополагающих принципов принятой авторами концепции
изложения материала в этой книге – представление как достаточного объема не-
обходимой справочной информации собственно по принципам работы и составу
элементной базы СВЧ-устройств, так и, в отличие от классических учебников с
изобилием математических выкладок и физических формул, попытаться по воз-
можности максимально простым языком изложить как основные аспекты проекти-
рования и изготовления базовых элементов СВЧ-устройств (физические принципы
их работы, основные апробированные на практике схемотехнические решения,
технологии изготовления), так и важнейшие аспекты основных этапов расчета и
конструирования СВЧ-приборов и СВЧ-систем на уровне, доступном для понима-
ния даже слабоподготовленным читателем. Для более углубленного изучения этой
проблемы заинтересованному читателю можно обратиться к приведенным в книге
многочисленным ссылкам на литературные и интернет-источники.
Насколько авторам удалось в рамках данной книги реализовать эту концеп-
цию – судить читателям.
Такой широкий круг необходимых исследований требует, например, только в
области СВЧ-электроники для их проведения привлечения ученых и специалистов
по широкому спектру специальностей, таких как: физика конденсированного со-
стояния (01.04.07); физика полупроводников (01.04.10); технология и оборудование
для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
(05.27.06); вакуумная и плазменная электроника (05.27.02); квантовая электроника
(05.27.03); твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и
наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах (05.27.01); физическая электро-
ника (01.04.04); оптика (01.04.05); кристаллография, физика кристаллов (01.04.18);
физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника 01.04.20); силовая
электроника (05.09.12); органическая химия (02.00.03); неорганическая химия
(02.00.01); аналитическая химия (02.00.02); электрохимия (02.00.05); физическая
химия (02.00.04); химия и технология высокочистых веществ; химия твердого тела
(02.00.21); лазерная физика (01.04.21); оптические и оптико-электронные приборы
и комплексы (05.11.07); автоматизация и управление технологическими процессами
и производствами (05.13.06); системы автоматизации проектирования (05.13.12);
метрология и метрологическое обеспечение (05.11.15); информационно-измери-
тельные и управляющие системы (05.11.16).
Однако общим для всех этих различных групп и специализаций инженеров
является то, что все они должны глубоко понимать суть выполняемых процессов,
знать физические принципы построения и особенности работы многочисленного
оборудования, хорошо разбираться в аналитическом оборудовании и современных
методах анализа, хорошо знать и использовать в своей работе основные физические
модели многочисленных технологических операций.
Не является секретом, что в развитие мировой полупроводниковой промыш-
ленности в целом и в убедительные достижения ведущих мировых фирм-лидеров
огромный вклад внесли (и вносят до сих пор) инженеры-технологи с дипломами
российских и белорусских вузов, прошедшие хорошую школу практической под-
готовки на отечественных предприятиях. Все эти поколения отечественных специ-
алистов-электронщиков изучали азы микроэлектронной технологии в основном
по пользовавшимся огромной и заслуженной популярностью и многократно
переиздаваемым в СССР переводным изданиям книги «Физика полупроводни-
ковых приборов» ставшего «классиком» великого популяризатора микроэлектро-
ники профессора С.М. Зи и коллективной монографии «Технология СБИС» под
его же редакцией, многие положения которых справедливы и для современных
субмикронных технологий микроэлектроники. В частности, можно привести
фундаментальную монографию «Конструктивно-технологические особенности
субмикронных МОП-транзисторов» (Г. Я. Красников 2-е изд., испр. М.: Техносфера,
2011. – 800 с.), в которой детально рассмотрены особенности работы субмикрон-
ных МОП-транзисторов, особенности технологии формирования подзатворных
диэлектриков, механизмы влияния технологических процессов изготовления (ион-
ного легирования, плазменной обработки, переноса изображения) на деградацию
подзатворного диэлектрика, различные конструкции современных субмикронных
МОП-транзисторов.
При написании книги авторам оказали существенную помощь многие ведущие
специалисты современных НИИ и заводов, специализирующиеся в области ис-
следований, разработки и организации производства различных СВЧ-приборов,
устройств и систем на их основе, ученые академических институтов, преподаватели
вузов, занимающиеся подготовкой студентов, аспирантов и магистрантов.
Книга представляет собой универсальное справочное пособие и адресована
широкому кругу читателей – студентам, преподавателям, инженерам-технологам
полупроводниковых производств, инженерам-разработчикам СВЧ-приборов,
систем радиолокации и связи, инженерам по проектированию и эксплуатации
сложного радиоэлектронного оборудования, ученым и аспирантам, специализи-
рующимся в области СВЧ-электроники и ее приложений.
Авторы хотели бы выразить искреннюю благодарность следующим ученым и
специалистам, оказавшим наиболее существенную помощь авторам при написании
этой книги (материалами, советами и практическими замечаниями), это: Чер-
нявский А.Ф., академик НАН Беларуси, Казак Н.С., директор Института физики
НАН Беларуси, академик НАН Беларуси, Витязь П.А., академик НАН Беларуси,
Чижик С.А., академик НАН Беларуси, Первый заместитель Председателя Прези-
диума НАН Беларуси, Корзюк В.И., академик НАН Беларуси, профессор кафедры
Института математики НАН Беларуси, Пилипенко В.А., член-корр. НАН Бела-
руси, Муравьев В.В., член-корр. НАН Беларуси, Комаров Ф.Ф., член-корр. НАН
Беларуси, Федосюк В.М., член-корр. НАН Беларуси, Костромицкий С.М., член-
корр. НАН Беларуси, директор ОАО «КБ Радар», Абламейко С.В., академик НАН
Беларуси, ректор БГУ (Минск, Беларусь), Гусев О.К., д.т.н., профессор, проректор
БНТУ (Минск, Беларусь), Чернуха Б.Н., к.т.н., Заместитель директора по научной
работе НИРУП «Геоинформационные системы» НАН Беларуси, Витер В.В., к.т.н.,
главный конструктор ГП «Ремонтный завод радиоэлектронного оборудования»,
Телец В.А., д.т.н., профессор, директор Института экстремальной прикладной
электроники НИЯУ МИФИ, Залесский В.Б., к.ф.-м.н., заведующий лабораторией
Института физики НАН Беларуси, Шиллер В.А., к.т.н., главный специалист ОАО
«НИИМА «Прогресс», Лобанович Э.Ф., к.ф.-м.н., заместитель директора РНЦ
«Курчатовский институт», Яшин Г.Ю., к.ф.-м.н., начальник НИЛ-723 ФГУП «НИИ
«Вектор», Кураев А.А., д.ф.-м.н., профессор БГУИР (Минск, Беларусь), Хвощ С.Т.,
д.т.н., профессор, генеральный директор ЗАО «Электронная компании «ЭЛКУС»
(Санкт-Петербург, Россия), Кернасовский Ю.М. директор ОАО «Минский НИИ
радиоматериалов», Горовой В.В., к.т.н., Борисенко В.Е., д.ф.-м.н., профессор, за-
ведующий кафедрой нано- и микроэлектроники БГУИР (Минск, Беларусь), Кучин-
ский П.В., д.ф.-м.н., профессор, директор НИИ прикладных физических проблем
им. А.Н. Севченко БГУ (Минск, Беларусь), Никифоров А.Ю., д.т.н., профессор,
директор ОАО «СПЭЛС», Толочко Н.К., д.ф.-м.н., профессор, Бибило П.Н., д.т.н.,
профессор, Эннс В.И., к.т.н., заместитель генерального директора ОАО «НИИМЭ
и Микрон» (Зеленоград, Россия), Лыньков Л.М., д.т.н., профессор БГУИР (Минск,
Беларусь), Оджаев В.Б., д.ф.-м.н., профессор, заведующий кафедрой БГУ (Минск,
Беларусь), Осипов М.С., к.т.н., начальник отдела военного и оборонного сотрудни-
чества Департамента оборонной промышленности и военно-технического сотруд-
ничества ПК Союзного государства, к.т.н., Машевич П.Р., к.т.н, ОАО «Ангстрем»,
Гамкрелидзе С.А., главный научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор.
Авторы выражают благодарность Гордиенко С.В. за работу по техническому
оформлению рукописи для публикации и Сизову Ю.В. за помощь в переводе с
английского языка материалов, использованных в гл. 1.
Особую благодарность авторы высказывают основным рецензентам этой кни-
ги – директору федерального государственного бюджетного учреждения науки
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской
академии наук (ИСВЧПЭ РАН), заслуженному деятелю науки Российской Феде-
рации, д.т.н., профессору Мальцеву П.П. и академику НАН Б Лабунову В.А., чьи
критические замечания во многом способствовали появлению книги именно в
этом формате, а также академику РАН Велихову Е.П., предоставившего авторам
ряд уникальных материалов, использованных в гл. 9, Гусинскому А.В., д.т.н. и его
сотрудникам, за материалы, положенные в основу гл. 15.
Введение
Глава 1 посвящена краткому изложению теоретических основ радиолокации.
Здесь в сжатом виде представлены теоретические основы функционирования
радиолокационных устройств, начиная с хронологии исторических событий,
связанных с созданием первых РЛС, описания базовых принципов функциони-
рования радаров, типовых алгоритмов обработки сигналов (расстояние до цели,
зона однозначного определения дальности цели), характеристики антенных
устройств (усиление сигнала, апертура антенны, зона однозначного определения
цели, шумы и эхо-сигналы), а также общие сведения о РЛС (классификация,
частотные диапазоны работы, основные тактико-технические параметры, сравне-
ние зон действия пассивных разностно-дальномерных систем обнаружения раз-
личных источников радиоизлучения, различия между военными, гражданскими
радарами).
Отдельные параграфы главы посвящены изучению основных принципов
построения различных программных комплексов, предназначенных для моде-
лирования радиолокационных сигналов, типовые составы таких комплексов,
особенности работы инженеров-разработчиков РЛС с «конструкторами радио-
локационных объектов», особенности задания пространственной конфигурации
объекта, повышение помехоустойчивости современных РЛС) с использованием
автокомпенсаторов, мешающих излучению, на основе использования принци-
пов когерентности компенсации активных шумовых помех, включая особен-
ности технической реализации таких автокомпенсаторов и методики оценки
эффективности применяемых методов компенсации активных шумовых помех
современных РЛС.
Глава 2 посвящена краткому анализу основных этапов истории развития отече-
ственной (советской и российской) радиолокационной техники за весь обозримый
исторический период ее развития.
Здесь рассмотрены основные этапы становления отечественной радиолокаци-
онной техники на конкретных примерах РЛС – «Енисей», «Тропа» и ее модифика-
ции «Терек» (П-18), а также отечественных радиовысотометров.
Кратко изложены основные этапы истории создания советских РЛС дальнего
обнаружения баллистических ракет и различных космических объектов, в частности
отечественной системы предупреждения о ракетном нападении (СПРН), включая
этапы создания как наземных, так и комических эшелонов этой СПРН.
Приведены основные характеристики отечественной РЛС системы дальнего
обнаружения, основные технические проблемы, успехи и неудачи этапов создания
элементов комплексной системы дальнего обнаружения, а также перспективного
направления развития РЛС систем противовоздушной обороны.
Отдельно рассмотрены основные направления развития и технические харак-
теристики современных отечественных систем СВЧ-радиосвязи.
Глава 3 посвящена изучению особенностей построения систем цифровой об-
работки радиолокационных сигналов на основе микроэлектронной элементной
базы – специализированных микропроцессорных комплексов сверхбольших ин-
тегральных микросхемы (СБИС).
Здесь рассмотрены основные тенденции и аспекты влияния современных
развивающихся технологий СБИС на информационные и управляющие структу-
ры современных РЛС (стандартные алгоритмы ЦОС и методы их практической
реализации, в том числе как для первичной обработки сигналов (что особенно
важно для современного театра военных действий), так и для элементов вто-
ричной обработки сигналов, определяющих как быстродействие, так и точность
определения целей современных РЛС наземного и космического эшелонов
СПРО).
Основной интерес для инженеров-разработчиков (электронщиков и програм-
мистов) современных РЛС представляет иерархия задач «операций» ЦОС приме-
нительно к задачам современных РЛС, а также типовые процедуры и оптимальные
аппаратные структуры систем ЦОС применительно к конкретным задачам РЛС.
В качестве конкретного примера рассмотрены структуры микросхем оте-
чественного микропроцессорного комплекта РЛС серии 1815, на базе которого
спроектирована АФАР РЛС «Волга».
Завершает эту главу анализ общих вопросов в методологических подходах к по-
строению специализированной микроэлектронной базы для систем ЦОС вообще
и для задач радиолокации и связи в частности.
Глава 4 посвящена рассмотрению такого специфического самостоятельного
направления радиолокационных устройств, как радары подповерхностного зон-
дирования.
Здесь рассматриваются как все известные РЛС дистанционного зондирования
Земли, так и специфические георадары с повышенной разрешающей способно-
стью, георадары для поиска мин, фугасов и несанкционированно заложенных
взрывных устройств в зданиях, сооружениях, на автомобильных и железных до-
рогах и путях следования военных колонн в различных условиях окружающей
среды.
Заслуживают особого внимания читателей разделы, посвященные анализу
современного состояния и тенденций развития сверхширокополосных устройств
радиосистем различного (гражданского и военного) назначения. Здесь приведе-
ны результаты анализа ситуации с развитием сверхширокополосной технологии
радарной техники в мире и в России, в том числе приведены основные характе-
ристики и технические решения построения радиолокаторов подповерхностного
зондирования с повышенной разрешающей способностью (структура, особенности
проектирования, способы формирования и обработки сверхширокополосных ча-
стотно-модулированных сигналов и пр.).
Впервые в открытой научно-технической печати здесь детально рассмотрены
особенности применения радаров подповерхностного зондирования с борта леталь-
ного аппарата (самолета, вертолета, дирижабля, воздушного шара и т.п.).
В заключение главы приведены основные технические характеристики наиболее
широко известных отечественных георадаров (серии «Лоза», «ОКО», «Зонд» и др.).
Глава 5 посвящена вопросам проектирования, изготовления и применения
различных антенн и антенных устройств для систем радиолокации и связи. Здесь
приведены основные параметры и типы производимых в мире и в России систем,
примеры наиболее эффективных конструктивных решений (в том числе антенны
для портативных беспроводных систем стандарта WIMAX/WLAN), широкопо-
лосных микрополосковых антенн – с увеличенным коэффициентом усиления,
широкополосных СВЧ-антенн бегущей волны, носимых непосредственно на одежде
и даже на теле человека, многополосных ПАТ – антенн, микрополосковых антенн
на тонкой подложке, плоских отражательных печатных антенн для систем сотовой
связи, трехдиапозонных щелевых антенн для систем бесперебойной связи, широко-
полосных антенн на керамической подложке, широкополосных многоспиральных
антенн с поляризацией и т.п., в том числе рассмотрены методы расчета этих антенн
и антенных устройств с помощью современных средств автоматизированного про-
ектирования.
Отдельный раздел главы посвящен фазированным антенным решеткам – клас-
сификации, структуре и особенностям применения.
Здесь с точки зрения авторов заслуживает особое внимание разд. 5.3.2 этой
главы, где приведено достаточно детализированное описание структуры и основ-
ных принципов работы ФАР без использования в тексте хотя бы одной формулы.
Конечно, этот раздел предназначен в первую очередь для радиолюбителей и
студентов.
В качестве самостоятельного раздела этой главы выделены специфические
вопросы проектирования и оценки надежности одного из важнейших компо-
нентов ФАР – систем электропитания. Здесь также приведен анализ состояния и
основных проблем развития различных компонент, необходимых для успешного
решения задачи обеспечения механического позиционирования антенных систем
РЛС и различных устройств и систем радиосвязи. Это датчики положения объекта
(энкодеры), различные «вращающиеся» элементы систем позиционирования РЛС
и другие компоненты.
Здесь же рассмотрены состояние и ближайшие перспективы развития совре-
менных системных устройств для радиолокации, систем связи, а также основные
тенденции и пути решения очевидных для разработчиков конкретных технических
задач развития перспективных антенных систем как РЛС, так и коммерческих
систем беспроводной связи.
Глава 6 посвящена конкретным проблемам и особенностям организации про-
цесса проектирования радиолокационных микросхем.
В начале главы рассмотрены специфические особенности проектирования
радиочастотных микросхем (особенности этапов моделирования радиочастотных
микросхем в составе проектируемой радиоэлектронной системы, в составе суще-
ствующей радиоэлектронной системы, формирования необходимых последователь-
ностей тестовых сигналов с приемлемыми параметрами, анализом требований к
оборудованию и программным средствам, требуемым для организации рабочего
места проектировщика радиочастотных схем, и др.).
Рассмотрены различные типы микроэлектронных технологий, используемых
для изготовления радиочастотных изделий.
В разделе, посвященном программным средствам для проектирования СВЧ
ИМС, дан детальный анализ возможностей и особенностей наиболее широко ис-
пользуемых на практике программных продуктов фирмы Cadance Desingn System,
приведен детализированный перечень необходимых библиотек проектирования,
их функциональное назначение и описание, рассмотрены основные особенности
методов проектирования цифровых систем на языке VHDL, приведено детальное
описание маршрутов проектирования микросхем.
В качестве одного из примеров детально рассматриваются особенности схемо-
технического проектирования фазовращателей для РЛС.
Глава 7 посвящена физическим основам полупроводниковой СВЧ-электроники.
Изложена краткая история развития СВЧ-электроники как одной из ветвей микро-
электроники, рассмотрены строение и свойства базового полупроводникового
материала – арсенида галлия, основные типы полупроводниковых приборов на его
основе (диоды, полевые транзисторы, биполярные транзисторы с гетеропереходами,
новые типы GaAs-приборов).
Детально рассмотрены состояние и перспективы развития сравнительно нового
типа GaAs-приборов монолитных интегральных схем СВЧ (МИС СВЧ): особен-
ности конструкции и технологии изготовления, основные используемые для их
изготовления материалы, особенности конструкций активных элементов МИС
СВЧ и проблемы обеспечения их надежности, перспективные конструктивно-
технологические решения МИС СВЧ.
Представлен краткий сравнительный обзор разработок лидеров мирового
рынка, а также основные направления использования МИС СВЧ в зарубежной и
отечественной космической военной технике.
Глава 8 целиком посвящена одному из наиболее «старых» направлений СВЧ-
электроники – вакуумной электронике.
Здесь в начале главы рассматриваются принципы работы, классификации и
технологические особенности как «классических», так и новых типов приборов
вакуумной электроники, основные значения достигнутых параметров приборов.
Более детально рассмотрены особенности конструкции, технологии и схемотех-
ники относительно нового направлении приборов вакуумной СВЧ-электроники –
мощных СВЧ-модулей, вакуумных СВЧ-приборов сантиметрового, миллиметро-
вого и терагерцового диапозонов.
Глава 9 посвящена анализу научно-технических и военно-стратегических
аспектов разработки и применения различных видов современного СВЧ-оружия,
разрабатываемого для условий космического и наземного применения.
Прежде всего, рассмотрены основные аспекты построения и использования
средств поражения космического эшелона систем противоракетной обороны –
технические возможности и ограничение потенциальных средств поражения бал-
листических и оперативно-тактических ракет, проблемы обеспечения надежности
функционирования средств космического эшелона. В частности, показано, что из
двух составляющих компонент надежности – технической надежности и опера-
тивной (боевой) надежности – последний компонент является наиболее важным,
поскольку он характеризует способность компонентов системы ПРО выполнять
запрограммированные боевые функции в любых ситуациях и во всех заложенных
военными заказчиками рабочих режимах и условиях.
Детально рассмотрены поражающие факторы и методы воздействия СВЧ-
излучения на системы управления радиоэлектронных средств и их компонентную
базу.
В рамках отдельных разделов рассмотрены все известные виды оружия «несмер-
тельного» действия наземного применения («системы активного отбрасывания» или
«луч боли», «глушитель речи», устройство для временного ослепления и дезориен-
тации противника, «бесшумный страж» и др.). Здесь же рассмотрены наиболее из-
вестные системы «нелетального» оружия из арсеналов Пентагона и силовых структур.
Отдельно рассмотрены компоненты СВЧ-оружия наземного и космического
боевого назначения. Это различные виды радиочастотного космического оружия и
оружия на новых физических принципах, системы перехвата баллистических ракет
на основе плазменного оружия, лазерное и пучковое СВЧ-оружие.
Здесь же рассмотрены и различные системы защиты от СВЧ-оружия.
Так, в рамках специального раздела рассматриваются технические аспекты
построения и применения различных СВЧ-комплексов противодействия высо-
коточному оружию (ВТО), классификации, способы применения, типовые цели,
типовой состав и принципы работы комплекса защиты от ВТО и др.
Завершает главу обобщенный анализ известной американской программы так
называемых «высокочастотных активных исследований», более известной специ-
алистам как система ХААРП.
Здесь рассмотрены теоретические механизмы возможности использования
систем типа ХААРП для управления погодой планеты Земля, создания «метеороло-
гического» (атмосферного) оружия, хемоакустические волны как основа создания
«сейсмического» оружия.
Приведено сравнение предполагаемых выполняемых функций всех систем типа
ХААРП, созданных в мире (США, Европа, СССР, Россия).
Глава 10 посвящена рассмотрению базовых технологий полупроводниковой
СВЧ-электроники.
Дан анализ состояния и тенденций развития как зарубежных, так и отечествен-
ных полупроводниковых СВЧ-технологий, детально рассмотрены как традици-
онные, так и перспективные типы СВЧ-технологий: на основе арсенида галлия,
нитрида галлия, карбида кремния, «алмазные» и другие технологии.
В частности, рассмотрены особенности отечественной технологии изготовления
арсенид-галлиевых малошумящих «мощных» транзисторов СВЧ- и КВ-диапазонов,
мощных СВЧ-транзисторов и СВЧ МИС на основе нитрида галлия, широкопо-
лосных транзисторных усилителей СВЧ-диапазона, особенности технологии из-
готовления СВЧ-усилителей для радаров АФАР и др.
Рассмотрены новые приложения СВЧ-технологии в МЭМС – особенности
реализации радиочастотных МЭМС (КМОП-устройства, МЭМС-переключателей,
конденсаторов, резонаторов и др.).
Завершает главу раздел, посвященный особенностям технологии конструиро-
вания полупроводниковых СВЧ-приборов и СВЧ МИС.
Глава 11 посвящена анализу полупроводниковых СВЧ-приборов, предназна-
ченных непосредственно для комплектации современных РЛС и систем связи.
Здесь детально рассмотрена элементная база приемо-передающих модулей
АФАР (аттенюаторов, фазовращателей, переключателей, предусилителей, мало-
шумящих усилителей и усилителей мощности), а также широкий спектр помехо-
подавляющих приборов для АФАР.
Приведена номенклатура и основные технические параметры СВЧ-приборов
основных отечественных изготовителей (АО «Микроволновые системы», ЗАО
«НПП «Планета-Аргалл», НПП «Пульсар» и др.), рассмотрены основные зарубеж-
ные микросхемы для приемо-перадающих модулей РЛС на основе нитрида галлия,
в частности изготовителей «Mini-Circuits», Hittite Microwave и др. Здесь же рассмо-
трены особенности выбора элементной базы для систем вторичного питания АФАР.
Глава 12 посвящена рассмотрению ВЧ и СВЧ комплектующих компонентов для
РЛС – микрополосковым фильтрам, СВЧ-фильтрам на поверхностных акустиче-
ских волнах (ПАВ-фильтры), кабельных гермовводов, мощных полосковых СВЧ-
резисторов, высокочастотных соединителей, керамических СВЧ-компонентов для
РЛС (керамических и пленочных конденсаторов, сетевых фильтров, специальных
соединителей и кабельных «сборок»).
Завершает главу раздел, посвященный эволюции конструкции корпусов для
устройств и блоков РЭА РЛС.
Глава 13 посвящена рассмотрению комплекса методов и средств обеспечения
надежности радиолокационных систем и средств связи. Здесь детально рассмотре-
ны физические и технические аспекты проблемы обеспечения электромагнитной
совместимости (ЭМС) (природа электромагнитных помех, типы и классификация
ЭМС, нормы и стандарты, технические решения задач обеспечения электромагнит-
ной совместимости микропроцессорных блоков управления РЛС и средств связи).
Приведены классификационные и основные технические характеристики за-
щитных СВЧ-устройств для РЛС и систем связи.
Заслуживает особого внимания раздел, посвященный особенностям оценки
ресурса СВЧ-устройств РЛС с учетом надежности механических составных частей,
которые ранее не учитывались разработчиками РЛС, что приводило к искусствен-
ному завышению расчетной надежности РЛС. Детально рассмотрены особенности
организации внутренних и внешних цепей электропитания СВЧ-устройств со-
временных РЛС.
Приведены типы и основные характеристики ряда специальных ВЧ- и СВЧ-
компонентов для подавления электромагнитных помех.
Завершает главу рассмотрение комплекса вопросов, посвященных методам
испытания СВЧ-устройств, в том числе на устойчивость к электростатическим
разрядам (стандарты испытаний как на уровне отдельного СВЧ-устройства, так и
на системном уровне).
Глава 14 посвящена относительно новому и стремительно развивающемуся
научно-техническому направлению – вопросам применения радиофотоники в
телекоммуникационных и радиолокационных устройствах и системах.
Рассмотрены физические принципы работы, конструктивные и технологиче-
ские аспекты изготовления и применения фотонных устройств на основе поверх-
ностных излучающих лазеров с вертикальным резонатором, излучающего лазера
сплавной конструкции (электрические и энергетические параметры, шумовые
и малосигнальные частотно-модуляционные параметры, линейность в режиме
большого сигнала, спектральные и перестроечные характеристики лазеров не-
прерывной (VECSEL, MEMS-VCSEL, LICSEL) и импульсной (VECSEL-SESAM,
MIXSEL) генерации).
Приведены конкретные технические решения проблем применения радио-
фотонных устройств в радиолокационных системах (активные линии задержки,
каналы передачи СВЧ-сигналов на большие расстояния, системы распределения
сигналов по полотну АФАР РЛС, измерительно-калибровочные комплексы и
средства для таких РЛС).
Завершает главу анализ СВЧ-фотодетекторов для систем радиофотоники,
радиолокации и оптоволоконной связи.
Глава 15 по количеству представленного материала является самой объем-
ной – содержит 12 разделов и 40 подразделов, поскольку посвящена проблемам
изменений и анализа современных СВЧ-устройств. Как известно, для цифровых
микроэлектронных устройств по стоимости решения задачи их тестирования уже
сравнимы, а иногда даже превышают стоимость разработки и изготовления. А для
СВЧ-устройств в силу специфики измеряемых устройств задача значительно ус-
ложняется.
Поэтому здесь рассмотрен по возможности весь сложный комплекс техниче-
ских проблем – от теоретических аспектов до рассмотрения конкретных методик,
аппаратных средств и приборов, особенностей их применений, необходимых для
достоверной оценки характеристик современных СВЧ-приборов как на стадии
проектирования, так и на стадиях их эксплуатации.
Глава 16 посвящена особенностям взаимодействия электромагнитного излу-
чения СВЧ-диапозона с фотонными структурами, включающими нанометровые
металлические, диэлектрические и полупроводниковые слои.
Представлены результата анализа современного состояния исследований в
области технологий и методов контроля параметров диэлектрических и прово-
дящих материалов (измерение электрофизических параметров волноводными,
мостовыми резонаторными методами, методами волноводно-диэлектрического
резонанса, методами с использованием синхронизированных генераторов СВЧ-
излучения и т.д.).
Представлено описание комплексной математической модели, включающей
описание и анализ результатов компьютерного моделирования зависимости
спектров отражения волноводных фотонных структур от положения дефекта («на-
рушения») в структуре фотонного кристалла, от параметров конкретного дефекта,
результаты моделирования спектров отражения волноводных фотонных структур
для различных диапазонов частот.
Последний раздел главы посвящен анализу как известных ранее, так и полу-
ченных авторами результатов экспериментальных исследований взаимодействия
СВЧ-излучения с одномерными волноводными фотонными структурами и ре-
зультатов измерения различных параметров СВЧ-материалов с использованием
волноводных фотонных структур.
Глава 17 посвящена анализу актуальных проблем обеспечения радиационной
стойкости современных СВЧ-устройств.
Здесь детально рассмотрены особенности влияния различных видов ионизиру-
ющих излучений на рабочие характеристики кремний-германиевых СВЧ-приборов
(гетероструктурных биполярных транзисторов, микросхем малошумящих и широ-
кополосных СВЧ-усилителей и управляемых напряжением генераторов).
Рассмотрены особенности проектирования радиационно-стойкой библиотеки
проектирования СВЧ-функциональных блоков на базе отечественных КМОП КНИ
технологии (транзисторов, МОП-варикапов, R, C, L-элементов).
Завершает главу раздел, посвященный особенностям проектирования пас-
сивных элементов для радиационно-стойких монолитных кремний-германиевых
СВЧ ИМС (микрополосковые линии передачи, интегральные индуктивности,
трансформаторы).
ГЛАВА 1
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИОЛОКАЦИИ
1.1. Введение
Современная радиоэлектроника представляет обширнейшую отрасль науки и тех-
ники, которая, проникая в новые сферы и охватывая все новые области знания,
стремительно развивается, определяя в существенной мере прогресс науки и техники
в целом. Развитие радиоэлектроники идет по многим направлениям, в том числе это:
• создание и развитие новых технологий, новых поколений и новых типов
элементной базы в широких частотных диапазонах;
• освоение новых частотных диапазонов, включая создание радиоэлектронных
систем с новыми свойствами и характеристиками, а также элементной базы
и средств метрологического обеспечения для них;
• все более широкое использование средств цифровой обработки сигналов в
радиоэлектронных системах и средствах вооружения;
• интенсивное развитие антенно-волноводной техники, в том числе в новых
осваиваемых частотных диапазонах, создание новых типов радиолокацион-
ных систем с фазированными антенными решетками и т.п.;
• использование новых физических принципов и явлений для создания более
совершенных радиоэлектронных устройств, с одной стороны, и применение
радиометодов при изучении и исследовании различных физических процес-
сов и явлений (астрономия, биология, диагностика плазмы, исследование
высокотемпературной сверхпроводимости и т.д.) – с другой.
Особое место в области радиоэлектроники занимают вопросы создания и при-
менения радиоэлектронных СВЧ-систем и средств, в том числе сантиметрового,
миллиметрового, а в последние годы и субмиллиметрового диапазонов волн. При
создании подобных систем используют разнообразные СВЧ-устройства и их соеди-
нения. Исследование характеристик и параметров СВЧ-устройств при их создании
и проверка соответствия таких устройств спецификационным требованиям при про-
изводственном выпуске, а также многие другие задачи и исследования требуют соот-
ветствующих средств инструментального анализа СВЧ-устройств и их соединений.
Многообразие используемых в СВЧ-диапазонах типов линий передачи и
устройств обусловливает многообразие параметров и характеристик, описывающих
их свойства и требующих экспериментального определения. Это, в свою очередь,
приводит к необходимости решения разнообразных измерительных задач, что воз-
можно с помощью соответствующих измерительных средств. Парк существующих
и создаваемых измерительных средств весьма велик, так как должен обеспечивать
измерения всех параметров и характеристик СВЧ-устройств, интересующих раз-
работчиков систем и других потребителей, в различных частотных диапазонах и
для разных используемых типов линий передачи.
Современные методы анализа и расчета СВЧ-устройств и их соединений в зна-
чительной мере базируются на «цепном» их представлении, когда СВЧ-устройство
представляется неким эквивалентным многополюсником, описываемым определен-
ной системой параметров. Соединение СВЧ-устройств в нужную СВЧ-схему рассма-
тривается соответственно в виде соединения таких эквивалентных многополюсников.
При исследовании таких устройств и соединений важно знать, насколько качественно
и без потерь обеспечивается передача через них СВЧ-сигналов, несущих полезную
информацию (насколько согласованы устройства, каковы в них потери и т.п.).
Поэтому, наряду с другими измерительными задачами (измерения мощности,
частоты, спектра и т.д.), задача измерения параметров СВЧ-цепей в различных ча-
стотных диапазонах изначально была и продолжает оставаться одной из основных
и актуальнейших измерительных задач.
Следует особо отметить существенный прогресс, достигнутый в последнее вре-
мя, на пути промышленного освоения миллиметрового диапазона волн, включая его
коротковолновую часть (с длиной волны 3 и 2 мм), что стимулировало ускоренное
создание разнообразных радиолокационных систем в этом диапазоне волн.
Прогресс в области радиоэлектроники и систем вооружения в значительной
мере определяется освоением новых более высокочастотных диапазонов. В этой
связи у исследователей, разработчиков и заказчиков радиоэлектронных средств
все больший интерес вызывает и диапазон субмиллиметровых волн, занимающих
промежуточное положение между миллиметровыми и оптическими волнами.
Освоение миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн открывает
широкие перспективы перед многими областями науки и техники. Это относится
в первую очередь к важнейшим областям физики, которые изучают атомное ядро,
явления, происходящие при низких температурах, высокотемпературную сверх-
проводимость, газовый разряд, физические свойства твердого тела, физику плазмы
и связанные с ней условия осуществления управляемых термоядерных реакций, а
также к таким областям техники, как радиолокация, радиосвязь, радиотелемеха-
ника, радионавигация, высокоточное оружие и системы защиты от него и др.
Учитывая дальнейшее освоение этих частотных диапазонов, новые области их
применения, особенности распространения и передачи миллиметровых и субмил-
лиметровых волн, а также особенности используемых технологий при создании
элементов, трактов и радиосредств этих диапазонов, необходимо более подробно рас-
смотреть проблемы развития и использования этих областей длин волн на практике.
1.2. Развитие техники миллиметровых
и субмиллиметровых волн
Рассмотрим особенности распространения и применения миллиметровых (мм) и
субмиллиметровых (субмм) волн.
В последние годы одним из важнейших направлений развития коммерческой
и военной СВЧ-радиоэлектроники стало продвижение в область миллиметрового
и субмиллиметрового диапазонов волн.
В соответствии с принятой классификацией диапазонов волн к миллиметровому
диапазону относятся радиоволны длиной 10–2–10–3 м или соответственно область
частот 30–300 ГГц, к субмиллиметровому, или децимиллиметровому, относятся
радиоволны длиной 10–3–10–4 м и соответственно область частот 300–3000 ГГц.
Обычно при делении всей области электромагнитных волн на диапазоны учи-
тываются различия в физическом прохождении, особенностях распространения,
способах генерации и приема. Однако четких физических границ между диапазо-
нами не существует, они являются в значительной мере условными.
В некоторых источниках научно-технической литературы используется термин
«диапазон ближних миллиметровых волн (диапазон БММВ)», который охватывает
волны длиной от 0,3 до 3,0 мм, т.е. частотный диапазон от 100 ГГц до 1 ТГц.
Поскольку на практике часто широко используется диапазон частот, лежащий
в окрестности частоты 94 ГГц, то частоты 90–100 ГГц обычно также относят к диа-
пазону БММВ.
• уменьшение массогабаритных характеристик устройств и систем, в частности
уменьшение размеров антенн радиолокационных станций; возможность
размещения на ракетах и подвижных средствах;
• расширение полосы частот и возможность увеличения информативной ем-
кости каналов связи;
• улучшение диаграмм направленности антенн, большая разрешающая спо-
собность, возможность обнаружения малых объектов;
• лучшее проникновение через пыль и туман, чем в оптическом диапазоне и
при излучении более длинноволновых СВЧ-колебаний;
• увеличение помехозащищенности линий связи, минимальные возможности
подслушивания;
• меньшее затухание при прохождении через ионизированную среду по срав-
нению с волнами сантиметрового и дециметрового диапазонов;
• большое изменение поглощения в атмосфере при относительно малом из-
менении частоты.
Следует особо отметить, что интерес к диапазону коротких миллиметровых
волн в значительной мере обусловлен сложностями, с которыми столкнулись при
использовании оптических волн. Инфракрасные системы, способные работать
как в дневных, так и в ночных условиях, часто оказываются неэффективными при
наличии на трассе распространения волн облачности, тумана или дыма. В то же
время излучение ближнего миллиметрового диапазона способно проникать через
такие замутненные области и обеспечивать достаточное разрешение по дальности
и углам.
Выбор рабочих частот в диапазонах миллиметровых и субмиллиметровых волн
решающим образом определяется условиями и характеристиками распространения
этих волн в атмосфере. В этой области заметно растет затухание в атмосфере из-за
молекулярного поглощения, которое мало сказывается в диапазоне сантиметровых
волн. Поглощение в диапазоне миллиметровых волн обусловлено главным образом
взаимодействием с молекулами О2 и водяного пара Н2О. Для молекул О2 характерно
наличие магнитного момента, для Н2О – электрического. Взаимодействие электро-
магнитной волны с магнитным моментом молекул О2 приводит к появлению ряда
линий поглощения в области вблизи 60 ГГц, а также линии 118,8 ГГц. Аналогично
водяные пары создают линии поглощения на частотах 22,2 и 183,3 ГГц, а также на
более высоких частотах. На рис. 1.2 приведены характеристики поглощения в парах
воды и молекулярном кислороде в зависимости от частоты.
Первый максимум затухания (порядка 20 дБ/км) находится на частоте 60 ГГц.
Наряду с пиками затухания имеется ряд полос (окон) прозрачности, в том числе на
частоте 94 ГГц (затухание составляет около 0,6 дБ/км), 140–150 ГГц (затухание около
2 дБ/км), 230–240 ГГц (около 7 дБ/км), 500 ГГц (около 10 дБ/км). Далее вверх по
частоте затухание растет до значения порядка 1000 дБ/км к инфракрасной области,
а затем, проходя через несколько максимумов и минимумов в коротковолновой
части, падает в области видимого света до величины 0,05 дБ/км.
Важными условиями распространения миллиметровых и субмиллиметровых
волн являются атмосферные явления, такие как дождь различной интенсивности,
туман, снег и пыль. Влияние дождя и тумана иллюстрируют кривые на рис. 1.3.
Отмеченные выше особенности миллиметровых и субмиллиметровых волн, а
также успехи и достижения в области электроники и микроэлектронной техноло-
гии, позволившие, несмотря на значительные технологические трудности, создать
достаточно надежные полупроводниковые и другие компоненты этого диапазона с
идентичными параметрами и характеристиками (источники мощности, детектор-
но-смесительные, управляющие, развязывающие устройства, различные элементы
СВЧ-тракта: ответвители, фазовращатели, переключатели, аттенюаторы и т.п.),
привели к тому, что многие системы и приборы миллиметрового диапазона волн
в настоящее время переходят из стадии разработки в стадию производства. Все
более очевидной становится тенденция освоения и практического использования
коротковолновой части миллиметрового (f ≥ 75 ГГц) диапазона.
Основные направления разработок в миллиметровом диапазоне волн связаны
с созданием разнообразных систем и аппаратуры, прежде всего военного, а также
научного и промышленного назначения [1].
1.3. Области применения миллиметровых
и субмиллиметровых волн в науке и технике
и основные направления разработок
Основными областями применения миллиметровых и субмиллиметровых волн в
науке и технике являются:
• радиолокация;
• радионавигация;
• радиосвязь;
• радиоуправление;
• радиопротиводействие;
• радиоастрономия;
• радиометрия;
• медицина;
• атмосферная метеорология;
• средства вычислительной техники;
• моделирование радиотехнических систем;
• научные исследования разных направлений.
Для современной радиоэлектроники, являющейся развитой отраслью техники,
характерно наличие и разработка большого числа радиосистем, существенно раз-
личающихся по своему назначению, принципу действия, используемому диапазону
частот, сложности, стоимости, массе и габаритам, массовости производства и т.д.
При этом под радиосистемой понимают любую техническую систему, в которой
основная функция выполняется радиоэлектронными средствами.
В свою очередь, в соответствии с назначением системы делят на ряд категорий:
системы радиосвязи, радиолокации, радионавигации, радиоуправления, радиоте-
леметрии, радионаведения, радиопротиводействия и др. Основными составными
частями любой радиосистемы являются радиопередающие, радиоприемные, антен-
но-фидерные устройства, а также устройства питания, отображения информации,
электронно-вычислительные и др.
и основные направления разработок
В радиопередающем устройстве любой системы осуществляется модуляция
закодированным сообщением колебаний несущей частоты, в качестве которых
в последнее время все шире используются колебания миллиметровых и субмил-
лиметровых волн. Соответственно, с использованием трактов миллиметрового
диапазона и его элементов строятся приемные и антенно-фидерные устройства,
а системы в целом относятся к системам миллиметрового и субмиллиметрового
диапазонов волн.
За радиосистемами различного назначения в нормативно-законодательном по-
рядке закрепляются те или иные предпочтительные участки частотных диапазонов.
К числу основных радиосистем миллиметрового диапазона, разработка которых
активно проводится в последние годы многими предприятиями и фирмами прежде
всего России и США, относятся:
• радиолокационные станции (РЛС) с высокой разрешающей способностью,
в том числе РЛС опознавания и локации космических объектов с Земли и
со спутников, РЛС обнаружения и сопровождения низколетящих целей
для зенитно-ракетных комплексов (ЗРК) и кораблей, бортовые самолетные
РЛС и др.;
• различные системы связи, в том числе связь «Земля-космос», межспутнико-
вая связь (например, на частотах в области 60 ГГц, вследствие наличия пика в
атмосфере до 20 дБ/км в космосе может быть обеспечена дальняя связь между
спутниками, скрытая от наземных наблюдений), системы сверхдальней связи,
скрытая оперативно-тактическая связь на дальность до 5–8 км, опять-таки
на частотах полос непрозрачности и др.;
• средства наведения, в том числе системы активного и пассивного наведения
ракет, головки самонаведения реактивных снарядов и т.п.;
• радионавигационные системы различного назначения, в том числе само-
летные, спутниковые, морские и др., которые охватывают навигацию и
опознавание;
• системы радиопротиводействия, используемые в электронной разведке,
связной, сигнальной радиоразведке и т.п.;
• ряд других систем, включая системы управления и контроля.
Одной из важных областей применения миллиметровых и субмиллиметровых
волн является моделирование.
Для лучшего представления и исследований свойств разрабатываемых РЛС и
характеристик отражения детектируемых целей создаются лабораторные модели,
работающие на существенно более высоких частотах, чем сами станции. При этом
моделируемые цели уменьшаются в соответствующем масштабе. Обычные значе-
ния коэффициентов уменьшения находятся в пределах от 1/4 до 1/20 для самолетов
и от 1/100 до 1/200 – для кораблей. Так как наиболее распространенными рабочими
частотами РЛС являются частоты от 3 до 10 ГГц, модели РЛС разрабатываются
для частот от 10 до 200 ГГц (имеется сообщение о разработке такой модели на
частоте 890 ГГц).
Широкие перспективы дальнейших работ связаны с применением миллиме-
тровых и субмиллиметровых волн в научных исследованиях, для зондирования
атмосферы в метеорологии, медицине, радиоастрономии и других областях.
Так, в последние годы значительно активизировались радиоастрономические
исследования, позволяющие получить сведения не только о распределении ис-
точников радиоизлучения в пространстве, но и об их физической природе. Ис-
следования простираются теперь и в область субмиллиметровых волн. Проблемы,
связанные с ослаблением сигналов в атмосфере, преодолеваются благодаря ис-
пользованию космических устройств (вынесению радиотелескопов за пределы
атмосферы на спутниках, космических станциях и т.п.).
В настоящее время уже зарегистрированы экстрагалактические источники в
субмиллиметровом диапазоне на волнах длиной 1 мм, 350 и 100 мкм. Развитию ис-
следований в этой области способствовало создание специальных чувствительных
радиометров.
Большие успехи достигнуты в радиоспектроскопии миллиметрового и субмил-
лиметрового диапазонов, в том числе в части создания аппаратуры, предназначен-
ной для изучения спектров поглощения. Проводятся исследования взаимодействия
электромагнитного излучения с веществом, находящимся в газообразном, жидком
и твердом состояниях. Исследуются такие материалы, как германий, кремний,
арсенид галлия и т.д.
Все более совершенная техника и источники излучения в коротковолновой
части миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов находят применение
при нагреве и диагностике плазмы, для определения электронной концентрации,
частоты столкновений и электронной температуры.
Диапазон миллиметровых и субмиллиметровых волн применяется также в био-
логии и медицине. Разрабатывается СВЧ-термограф для получения изображения
грудной клетки и позвоночника. Исследуются биологические эффекты в этих диа-
пазонах частот. Ведутся работы по созданию радиометров, предназначенных для
диагностики опухолей (например, рака груди). Излучения миллиметровых волн
могут быть использованы для разрушения опухолей (путем нагрева) без хирурги-
ческого вмешательства.
Развиваются и другие области применения миллиметровых и субмиллиметровых
волн: в радиорелейной связи, на транспорте, в сельском хозяйстве и т.п.
Частотное распределение миллиметрового диапазона для различных областей
применения, установленное в США, приведено в табл. 1.1.
Распределение включает спутниковую связь, радиолокацию, различные виды
радионавигации, радиоастрономию, исследования земной поверхности со спут-
ников и др. и охватывает весь непрерывный диапазон частот от 30 до 300 ГГц, как
области окон прозрачности, так и области непрозрачности атмосферы (например,
для межспутниковой связи и радионавигации отведены участки полосы непрозрач-
ности 54; 25–64; 105–130; 170–180 и 185–190 ГГц).
1.4. Линии передачи миллиметровых
и субмиллиметровых волн
Разработки различных систем и аппаратуры, т.е. практическое использование ко-
ротких миллиметровых и субмиллиметровых волн, требуют создания волноведущих
систем и различных элементов, входящих в волноводный тракт, приспособленных
для эффективной работы в этих частотных диапазонах. Таким работам в США,
России, Японии и других странах уделяется серьезное внимание.
В качестве основного волноводного тракта систем миллиметрового диапазона
за рубежом, например в США, в диапазоне частот до 325 ГГц используются полые
металлические одномодовые волноводы прямоугольных сечений.
В табл. 1.2 приведены обозначения, размеры, диапазоны частот (и их обозна-
чения) стандартных волноводов зарубежных фирм.
В табл. 1.3 приведены значения частотных диапазонов волноводов стандартных
сечений миллиметрового диапазона, используемые в России.
В диапазонах миллиметровых и субмиллиметровых волн наряду с полыми
металлическими волноводами прямоугольного и цилиндрического сечений, в
которых распространяются волны одного типа, при решении разнообразных задач
применяют и волноводы других типов, в частности волноводы увеличенного сече-
ния (сверхразмерные), желобковые волноводы, различного типа микрополосковые
линии, диэлектрические, лучевые и другие волноводы.
Формулы для основного Н10 (ТЕ10) типа волны прямоугольного волновода:
формулы 1.1 —1.4 см. в книге
При переходе к коротким волнам свойства одномодовых волноводов ухуд-
шаются: размеры уменьшаются, ужесточаются допуски на размеры, а потери
возрастают. На длине волны 1 мм потери в прямоугольном волноводе, в котором
распространяется волна Н10, превышают 20 дБ/м. При уменьшении длины волны
потери быстро растут.
На рис. 1.4 представлены частотные зависимости типичных значений потерь
стандартных волноводов США (от WR-28 до WR-3).
В технически обоснованных случаях допускается применение волноводов в
диапазоне частот (1,25–1,90) fкр(H10).
Практическая реализация волноводных устройств с сечением волновода менее
чем 1,6 × 0,8 или 1,3 × 0,65 мм становится сложной задачей из-за увеличения потерь
в них, существенного уменьшения всех линейных размеров и необходимости зна-
чительного ужесточения допусков на них. Серьезной проблемой для этих сечений
волноводов становится обеспечение надежных фланцевых соединений без пере-
косов и смещений апертур сочленяемых волноводов, что существенно сказывается
на параметрах измерительного тракта.
Некоторое практическое использование находят волноводы увеличенных сече-
ний, в которых могут существовать колебания высших типов. Потери в них значитель-
но ниже. Так, при λ = 0,8 мм затухание в волноводе сечением 7,2 × 3,4 мм составляет
1,4 дБ/м, а при λ = 0,65 мм затухание в волноводе сечением 23 × 10 равно 1,65 дБ/м.
В рассматриваемых диапазонах предложены и исследуются также волноводы
других типов, например Н-волноводы, желобковые (с выемками вдоль широких
стенок). Изучаются разные варианты диэлектрических волноводов, однако потери
в таких волноводах достаточно высоки.
Невозможность создания волноводов с низкими потерями привела в свое время
к использованию в субмиллиметровом диапазоне волн квазиоптической техники.
Находят некоторое применение лучевые волноводы с линзами и зеркалами. К их
недостаткам относятся сравнительно высокий уровень потерь и необходимость
тщательной юстировки зеркал.
К настоящему времени можно выделить следующие разновидности линий
передачи квазиоптического тракта:
• сверхразмерный многомодовый металлический прямоугольный волновод с
основной волной типа Н10;
• желобковый волновод;
• квазиоптический лучевод;
• металлодиэлектрический волновод (МДВ) круглого сечения;
• квазиоптическая линия передачи типа «канал в диэлектрике»;
• металлодиэлектрический волновод прямоугольного сечения.
Как показал ряд проведенных исследований, наиболее предпочтительным
для использования в аппаратуре и различных системах коротковолновой части
миллиметрового и субмиллиметрового диапазона (свыше 150 ГГц) представляется
металлодиэлектрический сверхразмерный волновод.
Сопоставление основных характеристик квазиоптических линий передачи за-
крытого типа приведено в табл. 1.4.
1.5. Теоретические основы функционирования
радиолокационных устройств
1.5.1. Хронология событий, связанных с созданием первых РЛС
Даже сегодня нельзя назвать тех изобретателей, которые являются неофициаль-
ными создателями РЛС. Тем не менее имеются некоторые узловые моменты в от-
крытии важных базовых знаний и важных изобретений, которые можно изложить
в следующим виде:
1865 г. – английский физик Джеймс Клерк Максвелл разработал свою теорию
(описание свойств электромагнитных волн и механизма их распространения).
1886 г. – немецкий физик Генрих Рудольф Герц открыл электромагнитные волны
и подтвердил этим теорию Максвелла.
1904 г. – немецкий инженер в области высоких частот Христиан Хюлсмейер изо-
брел так называемый «телемобилоскоп» для наблюдения перемещения различных
объектов (лодок и кораблей) на воде. Он измерял время перемещения электро-
магнитных волн к металлическому объекту (кораблю) и обратно, а на основании
этого времени вычислял расстояние. Хюлсмейер зарегистрировал свое изобретение
в патент Германии и Великобритании.
1917 г. – французский инженер Люсьен Леви изобрел супергетеродинный при-
емник. Он использовал впервые широко применяемое впоследствии обозначение
«Промежуточная частота», а также указывает на теоретическую возможность ор-
ганизации эффекта двойного гетеродинирования.
1921 г. – изобретение магнетрона как эффективной передающей трубки аме-
риканским физиком Альбертом Валлансом Халлом.
1922 г. – американские электротехники Тейлор и Янг из Морской исследова-
тельской лаборатории (США) впервые определили положение деревянного корабля.
1930 г. – капитан ВМФ Хиланд из Морской исследовательской лаборатории
(США) впервые в мире определил местоположение летательного аппарата.
1931 г. – первый корабль оснащен радаром, где в качестве антенны используется
параболическое зеркало с рупорным возбудителем (узлом запитки).
1936 г. – разработка первого клистрона инженерами Метколфом и Ганном из
молодой компании General Electric. Он стал потом важным компонентом в радарах
в качестве усилителя (или генераторной лампы).
1940 г. – различное многофункциональное радарное оборудование разрабаты-
вается в США, России, Германии, Франции и Японии и других странах.
Первые теоретические размышления по использованию электромагнитных
волн для определения местоположения корабля были представлены инженером из
Дюссельдорфа Хюльсмейером в 1904 г. в Германии и зарегистрированы в Англии
в качестве патента. В описании к патенту можно увидеть иллюстрацию в спец-
ификации патента, который описывал процесс обнаружения приближающегося
корабля с помощью метода обратного отражения.
Испытания, проведенные на Рейне, подтвердили полезность этого метода.
1.5.2. Базовые принципы функционирования радара
Название этого радиолокационного прибора «радар» (Radar) происходит от аббре-
виатуры его полного наименованию на английском языке – RAdio Detection And
Ranging. Можно описать следующим образом принцип, по которому работает радар:
очень схож с принципом отражения звуковой волны. Если вы кричите в направлении
звукоотражающего объекта (такого как ущелье в горах или пещера), вы услышите эхо.
Если вам известна скорость звука в воздухе, вы можете затем оценить расстояние и
общее направление и направление на объект. Время, необходимое для возврата эха,
может грубо преобразовываться в расстояние, если вам известна скорость звука.
В радаре используются импульсы электромагнитной энергии в основном та-
ким же образом, как показано на рис. 1.5. Высокочастотная энергия измеряется
радаром и отражается от наблюдаемого объекта. Некоторая небольшая часть этой
отраженной энергии возвращается обратно к радару. Эта отраженная энергия на-
зывается ЭХО, так же как и в терминологии звука. Радар использует это эхо для
определения направления и расстояния до отражающего объекта.
Как следует из этого определения, радары используются для обнаружения при-
сутствия цели (объекта обнаружения) и определения его положения в простран-
стве. Сокращение подразумевает также тот факт, что измеряемой количественной
величиной обычно является расстояние до объекта.
На рис. 1.6. показан упрощенный принцип работы простейшего радара. Антенна
радара облучает цель СВЧ-сигналом, который затем отражается от цели и «захваты-
вается» приемным устройством. Электрический сигнал, захватываемый приемной
антенной радара, называется «эхом» или «ответом». Сигнал радара генерируется мощ-
ным передатчиком и принимается специальным высокочувствительным приемником.
1.5.3. Алгоритм обработки сигнала
Алгоритм работы простейшего радара можно описать следующим образом [1].
– Передатчик радара выдает короткие мощные СВЧ импульсы энергии.
– Переключатель (мультиплексор) попеременно переключает антенну между
передатчиком и приемником так, чтобы использовалась только одна необ-
ходимая антенна. Это переключение необходимо, так как мощные импульсы
передатчика разрушили бы приемник, если бы энергия поступила непосред-
ственно на вход приемника.
– Антенна передает сигналы передатчика в пространство с требуемым рас-
пределением и эффективностью. Этот процесс применяется аналогичным
образом при приеме.
– Передаваемые импульсы излучаются в пространство посредством антенны
в виде электромагнитной волны, которая проходит по прямой линии с по-
стоянной скоростью и будет затем отражаться от цели.
– Антенна принимает обратные рассеянные сигналы (так называемые эхо-
сигналы).
– При приеме мультиплексор подает слабые эхо-сигналы на вход приемника.
– Сверхчувствительный приемник усиливает и демодулирует принятые СВЧ
сигналы и выдает видеосигналы на выход.
– Индикатор представляет наблюдателю непрерывную графическую картину
положения целей относительного радара.
Все цели выдают так называемое диффузное отражение, т.е. сигнал обычно
отражается в широком диапазоне направлений. Такой отраженный сигнал также
называется «рассеянием» или обратным рассеянием – это термин, присвоенный
отражениям сигнала в противоположном направлении относительно падающего
луча.
Сигналы радара могут отображаться как на традиционном индикаторе поло-
жения на плоскости (PPI), так и на более современных (жидкокристаллических,
плазменных и др.) системах дисплея радара. Экран PPI имеет вращающийся вектор
с радаров в начале координат, который отображает направление антенны (азимут
целей). Он обычно изображает картину исследуемого пространства в виде карты
зоны, покрываемой лучом радара.
Очевидно, что большинство функций простейшего радара являются завися-
щими от времени. Временная синхронизация между передатчиком и приемником
радара требуется для измерения расстояния. Системы радара излучают каждый
импульс в течение времени передачи (или длительности импульса τ), ожидают
возврата эхо-сигналов во время «слушания» или времени покоя и затем излучают
следующий импульс, что показано на рис. 1.7.
Так называемый синхронизатор координирует во времени процесс синхрони-
зации для определения расстояния до цели и выдает сигналы синхронизации для
радара. Он же одновременно подает сигналы на передатчик, который посылает
следующий новый импульс, и на индикатор и другие связанные схемы управ-
ления.
Время между началом одного импульса и началом следующего импульса на-
зывается периодом или межимпульсным интервалом (PRT) и
PRT = 1/PRF.
Здесь частота повторения импульса (PRF) системы простейшего радара – это
число импульсов, которые передаются в секунду. Частота передачи импульсов
существенно влияет на максимальное расстояние, которое может отображаться,
что мы покажем ниже.