В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетероструктурах типа AIGaN/GaN и СВЧ устройств на их основе. Подробно описаны свойства широкозонных полупроводников, методы их получения и исследования, а также способы создания гетероструктур на различных подложках. Рассмотрена физика гетеропереходов и двумерного газа носителей заряда. Детально анализируется технология производства транзисторов с учетом имеющегося опыта их реального изготовления. Приведены параметры транзисторов и предоставлена характеристика перспективных направлений в области их использования. Рассмотрены различные системы на кристалле и в корпусе, созданные на основе гетеротранзисторов типа AlGaN/GaN/Al2O3 и AlGaN/GaN/SiC.
Книга будет полезна специалистам в области электроники, исследователям, инженерам-практикам и разработчикам радиоэлектронной аппаратуры.