Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных
технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать
при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1–3). Во
втором разделе (главы 4–9) описаны соответствующие приемы проектирования
на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов,
схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и
защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных
межсоединений. В третьем разделе (главы 10–11) рассмотрены приемы проекти-
рования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций техноло-
гического процесса.
Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного
в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном
уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но
и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий
и соответствующих правил проектирования.